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Si4435DY
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20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10             100
0.1
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20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
10             100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 25 ° C
2.0
I D = -8.0A
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T J = 150 ° C
1.5
1.0
0.5
1
V DS = -15V
20μs PULSE WIDTH
0.0
V GS = -10V
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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